東京高等裁判所 平成５年（行ケ）１６５号 判決
神奈川県厚木市長谷３９８番地
原告
株式会社半導体エネルギー研究所
同代表者代表取締役
山崎舜平
同訴訟代理人弁理士
加茂裕邦
東京都千代田区霞が関３丁目４番３号
被告
特許庁長官 荒井寿光
同指定代理人
佐藤昭喜
同
今勝義
同
松本悟
同
花岡明子
同
吉野日出夫
同
関口博
主文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
事実
第１ 当事者の求めた裁判
１ 原告
「特許庁が昭和５９年審判第２１６３７号事件について平成５年８月１６日にした審決を取り消す。訴訟費用は被告の負担とする。」との判決
２ 被告
主文と同旨の判決
第２ 請求の原因
１ 特許庁における手続の経緯
原告は、昭和５５年６月２５日、名称を「感光体」とする発明（以下「本願発明」という。）につき、特許出願（特願昭５５－８６８０１号）をしたが、昭和５９年９月１８日拒絶査定を受けたので、同年１１月２２日審判を請求した。特許庁は、この請求を昭和５９年審判第２１６３７号事件として審理し、平成４年３月１９日出願公告（特公平４－１５９３８号）をしたが、特許異議の申立てがあり、特許庁は、平成５年８月１６日、特許異議の申立ては理由がある旨の決定とともに「本件審判の請求は、成り立たない。」との審決をし、その謄本は、同年９月８日原告に送達された。
２ 本願発明の要旨
導電性基体および該導電性基体上に設けられた光導電体を有する感光体において、
前記導電性基体がアルミニュームまたはその化合物からなり、
前記光導電体が、導電性基体上に一体に設けられた非単結晶半導体または非単結晶半絶縁体の第１層と、第１層の上に一体に設けられた非単結晶半導体または非単結晶半絶縁体の第２層と、第２層上に一体に設けられた非単結晶半絶縁体または非単結晶絶縁体の第３層とを有し、
第２層が、珪素、窒素含有珪素、酸素含有珪素、または炭素含有珪素を主成分とし、真性または実質的に真性で、第３層を介して照射された光により電子及びホールを発生するようになっており、
第１層が、珪素、窒素含有珪素、酸素含有珪素、または炭素含有珪素を主成分とし且つホウ素またはインジュームが添加されて導電性基体にホールを排出しやすくなっており、
第３層が、窒素含有珪素または炭素含有珪素を主成分とし、表面に静電気を帯電すると共に、第２層で発生した電子と前記静電気の結合を可能とする厚さを有し、光が照射されない領域では表面に静電気の帯電を維持し且つ光が照射された領域では表面の静電気が前記電子により消滅することを特徴とする感光体。
３ 審決の理由の要点
(1) 本願発明の要旨は、前項記載のとおりである。
(2) これに対して、本願の出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願昭５５－７８０５８号（特開昭５７－４０５３号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、次の（い）ないし（と）の事項が記載されているものと認める。
（い）、「支持体と光導電層と、これらの間に設けられ、前記支持体側方向からの前記光導電層中へのキヤリアの注入を阻止する機能を有する障壁層とを有する光導電部材に於いて、前記光導電層と前記障壁層とがシリコンを母体とし、水素を含有するアモルフアス材料で構成されており、それらの層の界面領域に於いて空乏層が形成され、前記障壁層は、該障壁層に於ける少数キヤリアの極性と同極性のキヤリアの前記光導電層中への注入を阻止し得、前記少数キヤリアの極性と同極性のキヤリアが前記支持体側方向より前記空乏層に到達する確率が実質的に無視し得る程度の厚さで前記空乏層と前記支持体層との間に前記障壁層の領域が存在し、電磁波照射によって前記光導電層に於いて生ずるキヤリアの中前記障壁層に於ける多数キヤリアの極性と同極性のキヤリアを前記障壁層方向に移動させ得る様にした事を特徴とする光導電部材。」（甲第３号証の特許請求の範囲の項参照。）
なお、上記の「障壁層に於ける少数キヤリアの極性と同極性キヤリア」および「障壁層に於ける多数キヤリアの極性と同極性のキヤリア」は、障壁層が、次の（ろ）の〈１〉 Ｐ型ａ－Ｓｉ；Ｈ…アクセプターのみを含むもの。或いは、ドナーとアクセプターとの両方を含み、アクセプターの濃度（Ｎａ）が高いもの。〈２〉 Ｐ＋型ａ－Ｓｉ；Ｈ…〈１〉のタイプに於いてアクセプターの濃度（Ｎａ）が高い、所謂Ｐ型不純物をヘビードープしたもの。のいずれかを採用した場合には、それぞれ「電子」および「ホール」を意味する記載であるものと認める。
（ろ）、「本発明に於いて、その目的を効果的に達成する為に……光導電層と障壁層とが積層されるには、各層が下記に示す半導体特性を有するａ－Ｓｉ；Ｈでの中から良好な組合せを選択して、構成される。
〈１〉 Ｐ型ａ－Ｓｉ；Ｈ…アクセプターのみを含むもの。或いは、ドナーとアクセプターとの両方を含み、アクセプターの濃度（Ｎａ）が高いもの。
〈２〉 Ｐ＋型ａ－Ｓｉ；Ｈ…〈１〉のタイプに於いてアクセプターの濃度（Ｎａ）が高い、所謂Ｐ型不純物をヘビードープしたもの。
〈３〉 ……
〈４〉 ｎ型ａ－Ｓｉ；Ｈ…ドナーのみを含むもの。或いはドナーとアクセプターの両方を含み、ドナーの濃度（Ｎｄ）が高いもの。
〈５〉 ……
〈６〉 ……
〈７〉 ｉ型ａ－Ｓｉ；Ｈ・・・Ｎａ〓Ｎｄ〓０のもの又は、Ｎａ〓Ｎｄのもの。
本発明に於いて、光導電層と障壁層とを構成するａ－Ｓｉ；Ｈの良好な組合せとしては下記第１表に示す例があげられる。
第１表
タイプ Ａ Ｂ Ｃ Ｄ Ｅ Ｆ
光導電層 〈３〉 〈３〉 〈７〉 〈７〉 〈６〉 〈６〉
障壁層 〈５〉 〈４〉 〈１〉 〈２〉 〈２〉 〈３〉
これ等の良好な組合せ例に於いて、殊に、最適とされるのはタイプＣとタイプＤの組合せ例であり、この組合せ例の場合には、極めて優れた電子写真特性を有するので電子写真用像形成部材として適用させると最良の結果が得られる。（甲第３号証第３頁右上欄１８行ないし同頁右下欄下から５行参照。）
（は）、「ａ－Ｓｉ；Ｈ層をｐ型にするには、周期律表（「周期率表」は誤記と認める。）第Ⅲ族Ａの元素；例えば、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ等が好適なものとして挙げられ、」（甲第３号証５頁右上欄１１行ないし１３行参照。）
（に）、〈１〉「支持体１０２としては、導電性でも電気性でも電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌ、……等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。」（甲第３号証５頁右下欄２行ないし６行参照。）
〈２〉なお、Ａｌは感光体の導電性支持体として極めて普通に用いられているばかりか、ホウ素等が添加されている珪素を主成分とした非単結晶半導体を支持する導電性支持体としてＡｌを用いることは本出願前周知技術である（例えば、特開昭５４－１２１７４３号公報の第６実施例参照。）ことを踏まえると、上記「Ａｌ」は、ホウ素等が添加されている珪素を主成分とした非単結晶半導体を支持する導電性支持体として適用しうるものとして開示した記載であると認める。
（ほ）、「ＮＰ方式の様な電子写真プロセスを適用するのであれば、表面被覆層２０５は、電気的絶縁性であって、帯電処理を受けた際の静電荷保持能が充分あって、ある程度以上の厚みがあることが要求されるが、例えば、カールソンプロセスの如き電子写真プロセスを適用するのであれば、静電像形成後の明部の電位は非常に小さいことが望ましいので表面被覆層２０５の厚さとしては非常に薄いことが要求される。」（甲第３号証６頁右上欄５行ないし１３行）参照。）
なお、カールソンプロセスにおける電子写真プロセスにおいては、感光体の表面被覆層の表面にプラス静電気を帯電した後に、光を照射すると、光導電層で発生したキヤリアのうち電子が表面被覆層を電流として流れて前記プラス静電気と結合し該プラス静電気を消滅させるプロセスを有するものである。従って、カールソンプロセスにおける感光体の表面被覆層は光導電層で発生した電子とプラス静電気の結合を可能とする厚さを有することを要件とするものであり、上記「表面被覆層２０５の厚さとしては非常に薄いことが要求される。」はこのような要件を当然に開示する記載であるものと認める。
（へ）、〈１〉「表面被覆層２０５の形成材料として有効に使用されるものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテレフタレート、……等の有機絶縁体、シリコン窒化物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙げられる。」（甲第３号証右上欄２０行ないし左下欄１２行参照。）
〈２〉なお、珪素を主成分とする非単結晶半導体を光導電層とした感光体において、表面被覆層を、この非単結晶半導体の形成時と同様な条件で形成するために非単結晶絶縁体となっていることが明らかな窒素含有珪素で構成することは周知（例えば、特開昭５４－１４５５３７号（本訴における甲第５号証）１２頁右上欄８行ないし１１行参照。）であることからみて、上記「シリコン窒化物」は非単結晶絶縁体としての窒素含有珪素をも包含する記載であるものと認める。
（と）、「第２図
〈省略〉
２０１…電子写真用像形成部材
２０２…支持体
２０３…障壁層
２０４…光導電層
２０５…表面被覆層
２０６…空乏層 」（甲第３号証１１頁、図面の簡単な説明の項及び図面参照。）
(3) つまり、先願明細書には、
導電性支持体および該導電性支持体上に設けられた光導電体を有する光導電部材（電子写真用像形成部材）において、〔（い）、（と）参照。〕
前記導電性支持体がアルミニュームからなり、〔（に）参照。〕
前記光導電体が、導電性支持体上に一体に設けられたシリコンを母体とし、水素を含有するアモルファス材料の障壁層と、障壁層上に一体に設けられたシリコンを母体とし、水素を含有するアモルファス材料の光導電層と、障壁層と光導電層との間に形成される空乏層と、光導電層上に一体に設けられた非単結晶絶縁体の表面被覆層とを有し、〔（い）、（ろ）、（に）、（へ）、（と）参照。〕
光導電層が、ｉ型ａ－Ｓｉ；Ｈで、表面被覆層を介して照射された光により電子及びホールを発生するようになっており、〔（い）、（ろ）参照。〕
障壁層が、珪素を主成分とし且つホウ素またはインジュームが添加されて導電性基体にホールを排出しやすくなっており、〔（い）、（ろ）、（は）参照。〕
表面被覆層が、窒素含有珪素を主成分とし、表面に静電気を帯電すると共に、光導電層で発生した電子と前記静電気の結合を可能とする厚さを有し、光が照射されない領域では表面に静電気の帯電を維持し且つ光が照射された領域では表面の静電気が前記電子より消滅する〔（い）、（ほ）、（へ）参照。〕光導電部材（電子写真用像形成部材）、〔（い）、（と）参照〕
が記載されているものと認める。
(4)〈１〉 本願発明と先願明細書とを対比すると、本願発明の「導電性基体」、「感光体」、「非単結晶半導体」、「真性」は、先願明細書の「導電性支持体」、「光導電部材」、「シリコンを母体とし、水素を含有するアモルフアス材料」、「ｉ型」に相当する。また、本願明細書中の「Ｐ－Ｉ接合」または「ＩＰ接合」は先願明細書の上記（ろ）の第１表に示すタイプＣまたはＤを採用した場合の「空乏層」に相当するものと認められるが、本願発明において当然に存在するものの、記載を省略したものと認める。
そして、本願発明同様に先願明細書の「空乏層」を省略すると、本願発明の「第１層」、「第２層」、「第３層」は、先願明細書の「障壁層」、「光導電層」、「表面被覆層」に相当するものと認める。
〈２〉 そこで、上記のことを前提として本願発明と先願発明とを対比すると、両者は、
導電性基体および該導電性基体上に設けられた光導電体を有する感光体において、
前記導電性基体がアルミニュームからなり、
前記光導電体が、導電性基体上に一体に設けられた非単結晶半導体の第１層と、第１層上に一体に設けられた非単結晶半導体の第２層と、第２層上に一体に設けられた非単結晶絶縁体の第３層とを有し、
第２層が、珪素を主成分とし、真性または実質的に真性で、第３層を介して照射された光により電子及びホールを発生するようになっており、
第１層が、珪素を主成分とし且つホウ素またはインジュームが添加されて導電性基体にホールを排出しやすくなっており、
第３層が、窒素含有珪素を主成分とし、表面に静電気を帯電すると共に、第２層で発生した電子と前記静電気の結合を可能とする厚さを有し、光が照射されない領域では表面に静電気の帯電を維持し且つ光が照射された領域では表面の静電気が前記電子により消滅することを特徴とする感光体、
である点で一致しているものと認める。
(5) したがって、本願発明は先願明細書に記載された発明と同一であると認められ、しかも、本願発明の発明者が先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また本願の出願の時に、その出願人が他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない。
４ 審決を取り消すべき事由
審決の理由の要点(1)は認める。
同(2)のうち、（い）、（ろ）、（は）、（に）、（ほ）、（へ）〈１〉、（と）は認め、その余は争う。
同(3)のうち、先願明細書に記載された光導電体が、「非単結晶絶縁体の表面被覆層」を有していること、及び、「表面被覆層が、窒素含有珪素を主成分と」することは争い、その余は認める。
同(4)〈１〉のうち、本願発明の「導電性基体」、「感光体」、「非単結晶半導体」、「真性」は、先願明細書の「導電性支持体」、「光導電部材」、「シリコンを母体とし、水素を含有するアモルフアス材料」、「ｉ型」に相当することは認め、その余は争う。同(4)〈２〉のうち、両者は、導電性基体および該導電性基体上に設けられた光導電体を有する感光体において、前記導電性基体がアルミニュームからなり、前記光導電体が、導電性基体上に一体に設けられた非単結晶半導体の第１層と、第１層上に一体に設けられた非単結晶半導体の第２層と、第２層上に一体に設けられた第３層とを有し（第３層が非単結晶絶縁体であることは争う。）、第２層が、珪素を主成分とし、真性または実質的に真性で、第３層を介して照射された光により電子及びホールを発生するようになっており、第１層が、珪素を主成分とし且つホウ素またはインジュームが添加されて導電性基体にホールを排出しやすくなっていることは認め、その余は争う。
同(5)のうち、本願発明の発明者が先願明細書に記載された発明の発明者と同一でなく、また本願の出願の時に、その出願人が他の出願の出願人と同一でないことは認め、その余は争う。
審決は、先願明細書の記載事項の認定を誤り、又は本願発明の内容を誤認した結果、本願発明と先願明細書に記載された発明との一致点の認定を誤り、発明の同一性の判断を誤ったものであるから、違法として取り消されるべきである。
(1) 取消事由１（第３層について）
〈１〉 同一系材料の点
審決は、先願明細書に記載された発明の「表面被覆層が、窒素含有珪素を主成分とし」（甲第１号証１２頁５行）、本願発明と先願明細書に記載された発明の両者は、「第３層が、窒素含有珪素を主成分とし、表面に静電気を帯電すると共に、第２層で発生した電子と前記静電気の結合を可能とする厚さを有し、光が照射されない領域では表面に静電気の帯電を維持し且つ光が照射された領域では表面の静電気が前記電子により消滅することを特徴とする感光体、である点で一致しているものと認める。」（同１４頁５行ないし１１行）と認定しているが、誤りである。
本願発明の要旨（特許請求の範囲）に明記しているとおり、本願発明は、第２層を珪素、窒素含有珪素、酸素含有珪素、または炭素含有珪素を主成分とする非単結晶半導体又は非単結晶半絶縁体で構成し、そして第３層を窒素含有珪素を主成分とする非単結晶半絶縁体又は非単結晶絶縁体で構成する点を必須とする。すなわち、本願発明の感光体では、第２層と第３層とが同一シリコン又はその化合物からなっている点を不可欠としている。
本願発明の感光体においては、上記構成を採用することにより、次の効果を得ることができる。
(a) 第２層で光により発生したキヤリアの一方の電子を第２層と第３層との界面で再結合させてしまうことなく表面にまで至らしめ、表面に存在している正の電荷と結合中和せしめることができる。
(b) 局在準位が少ない。
(c) 第３層が炭化珪素又は窒化珪素の硬い材料の使用により耐磨耗性を向上させる。
(d) 高速複写、極微小像の高いコントラストで複写を初めて可能とした。
これに対して、先願明細書には、本願発明における上記構成及びこの構成による効果については何も記載されておらず、先願明細書に記載された発明には、本願発明における技術的思想は存在しない。
すなわち、先願明細書には、「表面被覆層２０５の形成材料として有効に使用されるものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、六弗化プロピレンー四弗化エチレンコポリマー、三弗化エチレンー弗化ビニリデンコポリマー、ポリブテン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン、ポリパラキシリレン等の有機絶縁体、シリコン窒化物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙げられる。」（甲第３号証６頁右上欄末行ないし左下欄１２行）と記載され、１８種類の有機絶縁体と２種類の無機絶縁体がただ羅列されているだけである。また、先願明細書には、実施例１から実施例６までの６個の実施例が記載されているが、表面被覆層２０５に相当するものを設けたものは実施例５だけであり、しかもこの実施例５では有機高分子であるポリカーボネートが用いられているにすぎない。その余の実施例では、表面被覆層２０５を設けた形跡すらない。
このように有機や無機の２０個の絶縁体はすべて表面被覆層２０５の形成材料として全く同列に認識されているにすぎない。先願明細書では表面被覆層２０５はただ絶縁性を有すればよいというレベルのもので、それ以上の認識はないし、当業者にはこれ以上のことは何も分からない。
〈２〉 非晶質の点
審決は、「珪素を主成分とする非単結晶半導体を光導電層とした感光体において、表面被覆層を、この非単結晶半導体の形成時と同様な条件で形成するために非単結晶絶縁体となっていることが明らかな窒素含有珪素で構成することは周知（たとえば、特開昭５４－１４５５３７号（本訴における甲第５号証）１２頁右上欄８行ないし１１行参照。）である」ことを理由として、先願明細書におけるシリコン窒化物は「非単結晶絶縁体としての窒素含有珪素をも包含する記載であるものと認める」（甲第１号証９頁１７行ないし１０頁７行）と認定し、さらに、先願明細書に記載された発明が「非単結晶絶縁体の表面被覆層とを有し」（同１１頁１５行）、両者が、「非単結晶絶縁体」（同１３頁１７行）の第３層を有する点で一致すると認定するが、誤りである。
(a) 本願発明の第３層は、特許請求の範囲に「非単結晶半絶縁体または非単結晶絶縁体」と記載されているように、窒化ケイ素にある六方晶系結晶、三方晶系結晶及び非晶質の３種類のうち、非晶質の窒化ケイ素だけを適用するものである。
(b) これに対し、先願明細書には、ただ「シリコン窒化物」と記載しているだけで、それ以外の記載はないから、その「シリコン窒化物」をどのような形で（結晶質としてか、非晶質としてか）、またどのような仕方で、表面被覆層２０５の形成材料として適用するのかすら開示していない。
前記のとおり、先願明細書には、実施例１から実施例６までの６個の実施例が記載されているが、表面被覆層２０５に相当するものを設けたのは唯一実施例５だけである。しかも、この実施例５では、無機材ではなく、有機高分子であるポリカーボネートが用いられているにすぎないが、この唯一実施例５にもただ「ｉ型ａ－Ｓｉ：Ｈ層上と１５μ厚のポリカーボネートから成る電気絶縁層を形成して」（甲第３号証１０頁右下欄２行ないし４行）と記載されているだけで、そのポリカーボネートによる層をどのようにして形成したのかすら記載されていない。
(c) また、先願明細書は、適用の仕方について、「これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体はフィルム状とされて光導電層２０４上に貼合されても良く、又、それ等の塗布液を形成して、光導電層２０４上に塗布し、層形成しても良い。表面被覆２０５の層厚は、・・・先の１０μという値は絶対的なものではない。」（甲第３号証６頁左下欄１２行ないし右下欄７行）と記載されているだけで、これ以外は何も記載されていない。したがって、当業者には、先願明細書の上記記載により、せいぜい粉末状又は微細粉末状の窒化ケイ素を適当な合成樹脂等でフィルムにして貼付するか又はそれをバインダーに混合して塗布するのかもしれないという程度のことが想像できるだけである。
(d) 審決は、窒素含有珪素が非単結晶絶縁体となっていることが周知であることの根拠として特開昭５４－１４５５３７号公報（甲第５号証）（１２頁右上欄８行ないし１１行）を指摘するが、この公報は、本願より半年前に公開され、しかも同公報における同指摘箇所にはただ同公報に係る出願発明の一実施例の一環としてたまたま記載されていただけのものであるから、先願明細書に記載のシリコン窒化物が非単結晶絶縁体となっていることが周知であったことの根拠とは到底なり得ない。
また、乙第１ないし第４号証は、先願明細書に記載のシリコン窒化物が非晶質であることが周知であることを裏付けるものではない。
乙第１及び第２号証では、スパッタリングにより各種化合物の被膜を作製し、そこに列挙された各種化合物のうちの一つとして窒化珪素が示されている。しかし、乙第１及び第２号証に記載の技術は先願発明とは異なる各種構成を有し、これを前提とするもので、しかもその窒化珪素が非晶質であるか否かさえ一切記載されていない。
乙第３号証は、ＣＶＤ法によりＳｉ3Ｎ4のアモルファスが得られる旨の記載があるが、例えば甲第７号証から明らかなとおり、窒化ケイ素には結晶質も非晶質もあり、しかもいずれも絶縁特性を有するものであるから、乙第３号証によって直ちに先願明細書に記載のシリコン窒化物は非晶質であったなどとは到底いえない。
乙第４号証は、「超硬高純度窒化珪素とその製造方法ならびにその製造装置」と題するものであるが、そこには結晶質（配向結晶質窒化珪素、微粒結晶質窒化珪素）のものも非結晶質（非晶質窒化珪素）のものも形成されており、しかも、これは、そのような超硬高純度窒化珪素を製造するというだけのものにすぎないから、乙第４号証によって直ちに先願明細書に記載のシリコン窒化物が非晶質であったなどとはいえない。
(2) 取消事由２（空乏層について）
審決は、「本願明細書中の「Ｐ－Ｉ接合」または「ＩＰ接合」は先願明細書の上記（ろ）の第１表に示すタイプＣまたはＤを採用した場合の「空乏層」に相当するものと認められるが、本願発明において当然に存在するものの、記載を省略したものと認める。」（甲第１号証１２頁１９行ないし１３頁４行）と認定するが、誤りである。したがって、この誤った認定を前提とする「そして、本願発明同様に先願明細書の「空乏層」を省略すると、本願発明の「第１層」、「第２層」、「第３層」は、先願明細書の「障壁層」、「光導電層」、「表面被覆層」に相当するものと認める。」（同１３頁５行ないし８行）との認定も誤りである。
先願明細書に記載された発明は、その特許請求の範囲に「それらの層の界面領域に於いて空乏層が形成され」と記載されていることから明らかなように、空乏層を設けることを必要不可欠としている。
これに対し、本願発明は、その特許請求の範囲から明らかなように、空乏層を必須の要件としていない。本願発明における第１層と第２層との間に空乏層がたまたま形成される場合があるとしても、本願発明においては空乏層を積極的に利用するものではない。
第３ 請求の原因に対する認否及び反論
１ 請求の原因１ないし３は認める。同４は争う。審決の認定、判断は正当であって、原告主張の誤りはない。
２ 反論
(1) 取消事由１〈１〉（同一系材料の点）について
〈１〉 まず、原告が主張する効果のうち、(c)の効果は、「第３層に炭化珪素または窒化珪素の硬い材料の使用」による効果であり、また、(d)の効果は、「基体側近傍にＩＰ接合を設けたこと」による効果であり（甲第２号証７欄８行ないし３２行、３６行ないし３９行）、本願発明の第２層と第３層とが同一シリコン又はその化合物からなっているという構成による効果ではない。
〈２〉 原告の本願発明の第２層と第３層とが同一シリコン又はその化合物からなっているという主張の意味するところは、本願明細書の「もし、第２層と第３層とが異なる系であると、（例えば有機材料と無機材）界面には・・・表面での正の電荷との結合中和をすることができない。」（甲第２号証３欄３５行ないし４１行）との記載、及び「２つの層は、共に、珪素、珪素と窒素または炭素との化合物と、同じ種類の珪素系材料を用いている」（同７欄３４行ないし３６行）との記載からみて、第２層と第３層がシリコン又はその化合物として同一の系であるということにほかならない。
さて、先願明細書には、「前記光導電層と前記障壁層とがシリコンを母体とし、水素を含有するアモルフアス材料で構成されており、」（甲第３号証１頁左下欄８行ないし１０行）、及び「表面被覆層２０５の形成材料として有効に使用されるものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテレフタレート、・・・等の有機絶縁体、シリコン窒化物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙げられる。」（同６頁右上欄２０行ないし左下欄１２行）と記載されている。
ここで、先願明細書において、表面被覆層の無機絶縁体として具体的に記載されているのは「シリコン窒化物」、「シリコン酸化物」という、光導電層と同じ種類のシリコン系材料のみであり、シリコン系材料以外の他の種類の無機材料とすることは示されていないから、表面被覆層として無機材料を選択する場合には、必然的に同じ種類のシリコン系材料を選択することとなることは明らかである。
したがって、上記記載から、先願明細書には、「光導電層をアモルファスシリコンで形成し、表面被覆層をシリコン窒化物、シリコン酸化物という光導電層と同じ種類のシリコン系材料で形成する」という構成が記載されているということができる。
〈３〉 そして、先願明細書には、「表面被覆層２０５は、その所望される電気的特性を満足するのに加えて、光導電層２０４に化学的物理的に悪影響を与えないこと、光導電層２０４との電気的接触性及び接着性、更には耐湿性、耐磨耗性、クリーニング性等を考慮して形成される。」（甲第３号証６頁右上欄１４行ないし１９行）という前記した表面被覆層の形成材料を選択するときの考慮すべき事項が、表面被覆層に有効に使用される代表的な形成材料に関する記載の直前に記載されている。
こうしてみると、先願明細書における上記表面被覆層の形成材料を選択するときの考慮すべき事項の記載から、アモルファスシリコンと同じ種類のシリコン系材料である「シリコン窒化物」、「シリコン酸化物」の無機絶縁体が、表面被覆層の形成材料としての所望される電気的特性を満足するのに加えて、アモルファスシリコンで構成された光導電層に化学的物理的に悪影響を与えず、該光導電層との電気的接触性及び接着性がよく、更には耐湿性、耐磨耗性、クリーニング性等を考慮した上で、選ばれた表面被覆層の形成材料として挙げられていることは明らかである。
したがって、先願明細書に記載された発明は、本願発明と同一の構成であり、また本願発明と同一の効果を奏し、本願発明と同一の技術的意義についての認識を示しているものである。
(2) 取消事由１〈２〉（非晶質の点）について
〈１〉 まず、本願発明の第３層が「非晶質」であることによる本願発明の効果は、その本願明細書（甲第２号証）の発明の詳細な説明の欄には、何ら記載されていない。
したがって、非晶質であるとの構成を原告主張の効果に結び付けて本願発明に特有の「重要な技術的意義」であると主張することは、全く理由がない。
〈２〉 原告は、シリコン窒化物をどうような仕方で表面被覆層２０５の形成材料として適用するのかも分からない旨主張する。しかしながら、後述するように、光導電層上にシリコン窒化物からなる表面被覆層をプラズマ法で形成することは周知であるから、先願明細書に記載された発明においても、その周知の手段でシリコン窒化物を適用するものであることは、明らかである。
なお、先願明細書の「フィルム状とされて光導電層２０４上に貼合されても良く、又、それ等の塗布液を形成して、光導電層２０４上に塗布し、層形成しても良い。」との記載は、有機絶縁体を適用するときの仕方を記載しているものであり、無機絶縁体についての記載ではない。
また、光導電層上にシリコン窒化物からなる表面被覆層を形成する場合、粉末又は微細粉末状の窒化珪素を原料にするなどということは、技術常識では考えられず、甲第７号証にも、粉末状又は微細粉末状の窒化珪素から被覆層を形成することは全く記載されていない。
〈３〉 (a)光導電材層上にアモルファスの炭化珪素又は窒化珪素の被膜で形成した絶縁性透明保護膜が周知であること、また、(b)下層の光導電層のアモルファスシリコンが高温での焼鈍（アニーリング）により結晶化しないように表面被覆層の形成がされることから、表面被覆層のシリコン窒化物は、やはり「アモルファス」であると考えるのが、当該技術分野における技術常識であることからすると、先願明細書には、「光導電層がアモルファスシリコンで構成され、表面被覆層がアモルファスシリコン窒化物で構成された発明」が記載されているに等しいと考えるのが相当である。
(a)すなわち、乙第３号証は、昭和５２年当時の半導体に関する技術常識を集大成したものであり、乙第４号証も昭和５２年当時の特許公開公報であり、いずれも先願出願時の技術常識を示す文献である。この乙第３及び第４号証は、ともに、形成される窒化珪素の結晶状態が、製造時の容器内ガス圧力（ｍｍＨｇ）の数値の大小にかかわらず、一般的にその製造温度が低温であるときには非晶質（アモルファス）になり、その製造温度が高温であるときには結晶質となることを示している。
また、乙第３号証の記載から、スパッタリング法によれば、低い堆積温度で絶縁膜を形成できることが分かる。また、グロー放電法では、室温から３００℃ぐらいの低い基板温度で絶縁物が得られるということが分かる。
乙第１及び第２号証には、「プラズマ法の一態様であるＲＦスパッタリングを採用して光導電層上に炭化珪素（炭素含有珪素）または窒化珪素（窒素含有珪素）の被膜で形成した絶縁性透明保護被膜」が記載されている。
これらの記載から、まず、感光体の表面被覆として、窒素含有珪素又は炭素含有珪素を主成分とする絶縁性保護膜を光導電材上に設けることが、先願の出願日の７年以上前に既に知られていたということが分かる。
そして、ＲＦスパッタリング法、又はグロー放電法は、プラズマ法の一種であり、そのプラズマ法による堆積温度は低いことが前記乙第３号証から明らかであり、また、「低い堆積温度で形成された窒化珪素からなる絶縁膜は非晶質（非単結晶）となる」ことは、前記した乙第４号証から明らかであるから、乙第１及び第２号証に記載されている「ＲＦスパッタリングを採用して光導電材層上に炭化珪素（炭素含有珪素）または窒化珪素（窒素含有珪素）の被膜で形成した絶縁性透明保護被膜」は、非晶質（アモルファス）であるということができる。
甲第５号証に記載されている「ａ－Ｓｉ系光導電層」の形成時の製造条件は、基板温度が１５０℃であり、容器内ガス圧力が約０．７５ｔｏｒｒであることが分かるそして、「Ｓｉ3Ｎ4からなる表面被覆層」が、ａ－Ｓｉ系光導電層の形成に引き続いてａ－Ｓｉ系光導電層の形成時と同様の条件で形成されるのであるから、やはり「Ｓｉ3Ｎ4からなる表面被覆層」の形成時の製造条件は、基板温度が１５０℃であり、容器内ガス圧力が約０．７５ｔｏｒｒであることが分かる。
以上のことから、甲第５号証に記載されているａ－Ｓｉ系光導電層上のＳｉ3Ｎ4からなる表面被覆層は、グロー放電により形成されるａ－Ｓｉ系光導電層形成時と同様の条件で、引き続きグロー放電を行って表面被覆層が形成されるのであるから、基板温度が１５０℃という低い温度でのグロー放電法により層形成されることが分かる。
そうしてみると、甲第５号証に記載されている「Ｓｉ3Ｎ4からなる表面被覆層」の形成時の基板温度は、前記考察により、低温の１５０℃であるから、形成された「Ｓｉ3Ｎ4からなる表面被覆層」は、乙第３及び第４号証に記載された知見から、「非晶質のもの」（非単結晶絶縁体）となっていることは明らかである。
このように、乙第１号証、乙第２号証及び甲第５号証に記載の窒化珪素はアモルファスであるということができるから、「光導電材層上にアモルファスの炭化珪素または窒化珪素の被膜で形成した絶縁性透明保護膜は周知である」ということができる。そうすると、先願明細書に記載の「シリコン窒化物からなる表面被覆層」には、アモルファス（非単結晶）の窒素含有珪素の絶縁体が含まれるということができる。
(b) また、先願明細書においては、光導電層がアモルファスシリコンでできており、表面被覆層のシリコン窒化物を結晶性のものとするために、光導電層のアモルファスシリコンが結晶化してしまうような高温で表面被覆層を形成するなどということは技術常識としてはあり得ないことであるから、焼鈍（アニーリング）点からも、表面被覆層のシリコン窒化物（窒素含有珪素）がアモルファス（非単結晶）であることは、明らかである。
すなわち、甲第７号証及び乙第５号証から、非晶質の物質を高温で加熱又は焼鈍（アニーリング）すると、非晶質の物質が結晶化することは、このアモルファス固体の技術分野における技術常識であるということができる。つまり、下層のアモルファス固体の表面に一体的に上層の被覆層の固体を層形成する場合に、下層のアモルファス固体に対する高温度による結晶化という化学的物理的な悪影響を回避するためには、上層の被覆層の固体に対してだけではなく、下層のアモルファス固体に対してもアニーリングとなるような、高温度の加熱をしてはいけないということが、当該技術分野における技術常識である。
(3) 取消事由２について
本願発明は第１層と第２層とをＰ－Ｉ接合しているのであるから、本願発明においても、第１層と第２層との間の界面領域に「空乏層」が形成されていると考えるのが相当である。
したがって、この点の審決の認定に誤りはない。
第４ 証拠
証拠関係は、本件記録中の書証目録記載のとおりであって、書証の成立はいずれも当事者間に争いがない。
理由
１ 請求の原因１（特許庁における手続の経緯）、同２（本願発明の要旨）及び同３（審決の理由の要点）については、当事者間に争いがない。
そして、審決の理由の要点(2)（先願明細書の記載事項の認定）のうち、（い）、（ろ）、（は）、（に）、（ほ）、（へ）〈１〉、（と）、同(3)（先願明細書の記載事項の認定）のうち、先願明細書に記載された光導電体が、非単結晶絶縁体の表面被覆層を有していること、及び、表面被覆層が窒素含有珪素を主成分とすることを除く事実、同(4)（本願発明と先願明細書との対比）〈１〉のうち、本願発明の「導電性基体」、「感光体」、「非単結晶半導体」、「真性」は、先願明細書の「導電性支持体」、「光導電部材」、「シリコンを母体とし、水素を含有するアモルファス材料」、「ｉ型」に相当すること、同(4)〈２〉のうち、両者は、導電性基体および該導電性基体上に設けられた光導電体を有する感光体において、前記導電性基体がアルミニュームからなり、前記光導電体が、導電性基体上に一体に設けられた非単結晶半導体の第１層と、第１層上に一体的に設けられた非単結晶半導体の第２層と、第２層上に一体に設けられた第３層とを有し、第２層が、珪素を主成分とし、真性または実質的に真性で、第３層を介して照射された光により電子及びホールを発生するようになっており、第１層が、珪素を主成分とし且つホウ素またはインジュームが添加されて導電性基体にホールを排出しやすくなっていること、同(5)（むすび）のうち、本願発明の発明者が先願明細書に記載された発明の発明者と同一でなく、また本願の出願の時に、その出願人が他の出願の出願人と同一でないことは、当事者間に争いがない。
２ そこで、原告主張の取消事由の当否について検討する。
(1) 取消事由１〈１〉（同一系材料の点）について
〈１〉 前記説示の本願発明の要旨（特許請求の範囲）によれば、本願発明は、「非単結晶半導体または非単結晶半絶縁体の第２層」と、「非単結晶半絶縁体または非単結晶絶縁体の第３層」と、第２層と第３層とが同一シリコン又はその化合物からなっている点を必須の要件としていることが認められる。
そして、前記説示のとおり、先願明細書には、「光導電層・・・がシリコンを母体とし、水素を含有するアモルファス材料で構成されており」（甲第３号証特許請求の範囲）、「表面被覆層２０５の形成材料として有効に使用されるものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテレフタレート、……等の有機絶縁体、シリコン窒化物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙げられる。」（甲第３号証６頁右上欄２０行ないし左下欄１２行参照。）と記載されている。この記載によれば、光導電層の形成材料として水素含有アモルファスシリコンが示され、表面被覆層の形成材料としてシリコン窒化物が示されている。
そうすると、先願明細書には、第２層と第３層とが同一シリコン又はその化合物からなっているという本願発明と同一の構成が開示されていると認められ、その開示されたものは、本願発明と同一の作用効果を生ずるものと認められる。
〈２〉 原告は、先願明細書には、本願発明における上記構成による効果については何も記載されておらず、本願発明における技術的思想は存在しない旨主張する。
まず、本願発明の技術的思想につき検討すると、甲第２号証によれば、本願明細書には、「本発明の感光体では、第２層と第３層とが同一シリコンまたはその化合物からなっているため、第２層で光により発生したキャリアの一方の電子を第２層と第３層との界面で再結合させてしまうことなく表面にまで到らしめ、表面に存在している正の電荷と結合中和せしめることができた。
もし、第２層と第３層とが異なる系であると、（例えば有機材料と無機材）界面には多数の再結合中心が発生し、第２層で光により発生させた電子的界面での再結合中心を介してホールと再結合してしまうため、表面に充分電子をおし出すことができなくなり、表面での正の電荷との結合中和をすることができない。」（３欄２９行ないし４１行）と記載されていることが認められる。この記載によれば、本願発明は、再結合中心の発生を少なくし、また局在準位を少なくして、第２層で光により発生したキャリアの一方の電子を第２層と第３層との界面で再結合させてしまうことなく表面にまで至らしめ、表面に存在する正の電荷と結合中和せしめるため、第２層と第３層とを同じ種類の珪素系材料で構成することが示されていると認められる（なお、原告が主張するその余の効果のうち、(c)第３層が炭化珪素又は窒化珪素の硬い材料の使用により耐磨耗性を向上させるとの効果は、文字どおり、第３層に「炭化珪素または窒化珪素の硬い材料の使用による」（甲第２号証７欄３６行、３７行）効果であり、(d)高速複写、極微小像の高いコントラストで複写を初めて可能としたとの効果は、本願明細書（甲第２号証）の「基体側近傍にＩＰ接合を設けたことにより、光照射がなされた半導体では、内部電界のためホールの裏面導体２へのドリフトが本発明の第１層を構成させない従来の場合に比べて１０～１０3倍も速くすることができる。結果としてこの真性または実質的に真性の半導体１を３～１０μｍ±０．５μｍにすることにより、この第２層中での残存し得るホールを極めて早く除去し、電子のみを第２層と第３層との間に残存させることができる。このように早く、一方の電荷のみの状態に光照射がされた第２層を早くすることは、すなわち静電複写機としての高速複写を可能とする。また、残存し得るホールを早く除去することにより、電子の局在化を明確にするので、コントラストの明確な像の再現が可能となる。」（７欄１８行ないし３２行）との記載からすると、基体側近傍にＩＰ接合を設けたこと」による効果であり、第２層と第３層とが同一シリコン又はその化合物からなるとの構成による効果とは認められない。）。
これに対し、先願明細書には、本願発明と異なる技術思想に基づき第２層と第３層とを同一シリコン又はその化合物とする構成を採用したことをうかがわせる記載はない。かえって、甲第３号証により認められる先願明細書中の「表面被覆層２０５は、その所望される電気的特性を満足するのに加えて、光導電層２０４に化学的物理的に悪影響を与えないこと、光導電層２０４と電気的接触性及び接着性、更には耐湿性、耐磨耗性、クリーニング性等を考慮して形成される。」（６頁右上欄１４行ないし１９行）との記載は、先願明細書に記載のものも、本願発明と同様の技術的思想に基づき上記構成を採用したことを示唆するものである。
したがって、原告主張の取消事由１〈１〉は理由がない。
(2) 取消事由１〈２〉（非晶質の点）について
〈１〉 本願発明の第３層は、特許請求の範囲に「非単結晶半絶縁体または非単結晶絶縁体」と記載されているように、非晶質で形成されているものである。
〈２〉 これに対し、先願明細書には、表面被覆層の形成材料である絶縁物の１つとしてシリコン窒化物が挙げられていることは、前記に説示のとおりであるが、それが結晶質か、非晶質か、また、どのような仕方で表面被覆層の形成材料として適用するのかについては先願明細書に明記されていないものの、上記「シリコン窒化物」は非単結晶絶縁体としての窒素含有珪素をも包含するものとして先願明細書に記載されているに等しいと認めるのが相当である。
(a) すなわち、審決が周知であることの例示とした甲第５号証（特開昭５４－１４５５３７号公報）には、「第２図に示す装置を使い、以下の様にして電子写真用像形成部材を作成し、・・・画像出しを行った。」（１１頁右下欄２行ないし４行）、「ヒーター９を点火してアルミニウム基板を均一に加熱して１５０℃に上昇させ、この温度を保った。」（同１３行ないし１５行）、「ボンベ１２よりＡｒガスを、ボンベ１３よりＳｉＨ4ガスを堆積室６内に導入した。この時、メインバルブ２９を調節して堆積室６内の真空度が約０．７５ｔｏｒｒに保持される様にした。」（１２頁左上欄２行ないし６行）、「続いて、・・・高周波を印加してグロー放電を起し、アルミニウム基板上にａ－Ｓｉ層を形成した。」（同７行ないし１０行）、「堆積室６内の真空度をａ－Ｓｉ系光導電層形成時と同様な値に保持されるようにした。続いてａ－Ｓｉ層形成時と同様の条件でグロー放電を行ってａ－Ｓｉ系光導電層上にＳｉ3Ｎ4から成る表面被覆層を形成した。」（１２頁右上欄６行ないし１１行）と記載されていることが認められる。この記載によれば、甲第５号証においては、Ｓｉ3Ｎ4からなる表面被覆層は、基板上にａ－Ｓｉ層を形成する場合と同様に、基板温度が１５０℃、容器内ガス圧力が０．７５ｔｏｒｒの条件で高周波のグロー放電を起こして形成されることが認められる。
(b) そして、乙第３号証（半導体ハンドブック編纂委員会編「半導体ハンドブック（第２版）」オーム社 昭和５２年１１月３０日発行）の「７・２・１ Ｓｉ窒化膜」の項には、「ＳｉＯ2以外のＣＶＤ法による絶縁膜で、半導体工業において使われているものにＳｉ窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）がある。これの成長は、一般にはＳｉＨ4あるいはＳｉＣｌ4とＮＨ3とを反応させており、・・・成長温度は７５０～１１５０℃で、低温成長ではＳｉ3Ｎ4の構造はアモルファスであるが、１１００℃以上の高温成長になると結晶化が進む。」（２８９頁左欄１２行ないし２３行）と記載されていることが認められる。この記載によれば、ＣＶＤ法により形成されるシリコン窒化膜の構造は、低温成長ではアモルファスであるが、１１００℃以上の高温成長では結晶化が進むことが示されている。
乙第３号証の「７・３ ＰＶＤ法」の項には、「絶縁膜のＰＶＤ法・・・には、スパッタリング法、・・・グロー放電法がある。スパッタリング法には、ＤＣ（直流）とＲＦ（高周波）スパッタリングの二つがある。」（２９１頁左欄２４行ないし２８行）、「スパッタリング法の良さは堆積温度が低いこと、ターゲット材料を変えることで容易に各種の絶縁膜ができることである」（２９１頁右欄４行ないし６行）、「グロー放電法の特徴は、基板が室温から３００℃ぐらいの低い温度で絶縁物が得られる点にあり」（同２１行ないし２３行）と記載されていることが認められる。この記載によれば、スパッタリング法によれば低い堆積温度で各種の絶縁膜が形成できること、また、グロー放電法では室温から３００℃ぐらいの低い温度で絶縁物が得られることが示されている。
さらに、乙第４号証（特開昭５２－９６９９９号公報－昭和５２年８月１５日公開）には、第１０図（別紙図面参照）とともに、「基体を１０００～１９００℃の温度範囲内に加熱保温し、吹付け管４の内管から窒素沈積源ガスを外管から珪素沈積源ガスまたは必要によりキャリアーガスをも添加して、基体上に吹き出させる。この際両沈積源ガスは基体上あるいはその近傍で互に接触、混合され、気相分解し、基体上に本発明の窒化珪素が沈積する。」（９頁右下欄２行ないし８行）、「前記方法・手順を用いて・・・窒化珪素を沈積せしめると、製造温度と炉内ガス圧力によって、第１０図にその１例を示すような温度と容器内ガス圧力とで規定される領域の条件において配向結晶質窒化珪素微粒結晶質窒化珪素あるいは非晶質窒化珪素を沈積させて得ることができる。第１０図の領域ＰＯは配向結晶質窒化珪素が製造される領域、領域ＦＧは微粒結晶質窒化珪素が製造される領域、領域ＡＭは非晶質窒化珪素が製造される領域である。また領域ＡＭ”の条件下では非晶質窒化珪素が沈積するが、その硬度が１００ｇ荷重でＭＶＨ２０００kg／mm2以下であるような比較的硬度の低い非晶質窒化珪素が沈積する。」（１０頁左上欄１１行ないし右上欄６行）と記載されていることが認められる。この記載によれば、窒化珪素の製造時の容器内ガス圧力が０mmＨｇに近い真空度にある場合に、製造時温度がほぼ１０００℃以下では比較的硬度の低い非晶質窒化珪素が沈積し（領域ＡＭ）、製造温度がほぼ１０００ないし１５２５℃の範囲では非晶質窒化珪素が沈積し（領域ＡＭ）、製造時温度がほぼ１５２５ないし１５５０℃の範囲では微粒結晶質窒化珪素が沈積し（領域ＦＧ）、そして、製造時温度がほぼ１５５０℃以上の場合には結晶質窒化珪素が沈積する（領域ＰＯ）ということができる。
以上に説示の事実によれば、基板温度１５０℃、ガス圧０．７５ｔｏｒｒ（mmＨｇ）でグロー放電との条件で生成される甲第５号証のシリコン窒化物は、アモルファス（乙第３号証）ないし非晶質窒化珪素（乙第４号証）であることが甲第５号証に接する当業者にとって自明のことであると認められる。
(c) 次に、先願明細書に記載された発明の光導電層が「シリコンを母体とし、水素を含有するアモルファス材料で構成されて」いることは、前記説示のとおりであり、また、甲第５号証によれば、「又、基板温度は、ａ－Ｓｉ層及び表面被覆層の形成時に、一定に保持しても良いし、又層の成長と共に上昇又は下降又は上下させても良い。」（１１頁右上欄３行ないし６行）、「この様にすることによって、ａ－Ｓｉ系光導電層及び表面被覆層の電気的・光学的性質を層厚方向に一定若しくは連続的に変化させることが出来る。」（同１３行ないし１６行）と記載されていることが認められ、この記載によれば、光導電層及び表面被覆層の電気的・光学的性質は層厚方向に不連続でないことが望ましいことが示唆されている。
そうすると、先願明細書に記載された「シリコン窒化物」についても、非単結晶絶縁体としての窒素含有珪素をも含有する記載であることが先願明細書に接する当業者にとって自明であると認められ、これと同旨の審決の認定に誤りはないと認められる。
なお、原告は、先願明細書に接する当業者は、「これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体はフィルム状とされて光導電層２０４上に貼合されても良く、又、それ等の塗布液を形成して、光導電層２０４上に塗布し、層形成しても良い。表面被覆２０５の層厚は、・・・先の１０μという値は絶対的なものではない。」と記載から、せいぜい粉末状又は微細粉末状の窒化ケイ素を適当な合成樹脂等でフィルムにして貼付するか又はそれをバインダーに混合して塗布するのかもしれないという程度のことが想像できるだけであると主張するが、上記先願明細書の記載の主語は、「これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体」（甲第３号証６頁左下欄１２行、１３行）であることからすると、上記先願明細書の記載は、有機絶縁体を適用するときの仕方を記載しているものであり、無機絶縁体についての記載ではないと認められ、この点の原告の主張は採用できない。
(d) 原告は、甲第５号証のみから、表面被覆層を非単結晶絶縁体となっている窒素含有珪素で構成するものが周知であると解することはできない旨主張するけれども、乙第１ないし第４号証も併せ考えれば、審決認定の周知事項を認めることができるものである。また、原告は、乙第１ないし第４号証の記載は先願明細書に記載のシリコン窒化物が非晶質であることが周知であることを裏付けるものではないと主張するけれども、乙第１ないし第４号証に記載された製造時の温度条件を考慮しながら先願明細書の記載に接すれば、先願明細書に記載のシリコン窒化物が非晶質であることが自明であると認めることができるから、この点の原告の主張は採用できない。
(e) したがって、本願発明と先願明細書に記載された発明とが、「非単結晶絶縁体」の第３層を有する点で一致する等とした審決の認定に誤りはなく、原告主張の取消事由１〈２〉は理由がない。
(3) 取消事由２（空乏層）について
〈１〉 前記説示のとおり、先願明細書には、「本発明に於いて、光導電層と障壁層とを構成するａ－Ｓｉ；Ｈの良好な組合せとしては下記第１表に示す例があげられる。」として、第１表が記載され、さらに、「これ等の良好な組合せ例に於いて、殊に、最適とされるのはタイプＣとタイプＤ組合せ例であり、この組合せ例の場合には、極めて優れた電子写真特性を有するので電子写真用像形成部材とし適用させると最良の結果が得られる。」と記載され、この記載に従って第１表のタイプＣ又はタイプＤを採用すると、障壁層（第１層）をＰ層、光導電層（第２層）Ｉ層とするＰＩ接合が得られることが認められる。
他方、前記説示のとおり、本願発明の特許請求の範囲には、「第１層が、珪素、窒素含有珪素、酸素含有珪素、または炭素含有珪素を主成分とし且つホウ素またはインジュームが添加されて」おり、「第２層が、珪素、窒素含有珪素、酸素含有珪素、または炭素含有珪素を主成分とし、真性または実質的に真性で」あると記載されている。この構成は、本願明細書（甲第２号証）の発明の詳細な説明の項に、「第２層が真性または実質的に真性であり、且つ第１層がＰ型用不純物であるホウ素またはインジュームを含む（３欄１９行ないし２１行）、「本発明では、光電効果を有する半導体または半絶縁体中にＰ－Ｉ接合を設け」（４欄４０行、４１行）と記載されているように、第１層をＰ型、第２層をＩ型とするＰＩ接合が設けられていることを意味するものである。
そして、ＰＩ接合に空乏層が形成されることは技術常識であるから、本願発明のＰＩ接合にも当然空乏層が形成されていると認められる。
そうすると、「本願明細書中の「Ｐ－Ｉ接合」または「ＩＰ接合」は先願明細書の上記（ろ）の第１表に示すタイプＣまたはＤを採用した場合の「空乏層」に相当するものと認められるが、本願発明において当然に存在するものの、記載を省略したものと認める。」等との審決の認定には誤りはない。
〈２〉 原告は、本願発明における第１層と第２層との間に空乏層がたまたま形成される場合があるとしても、本願発明においては空乏層を積極的に利用するものではない旨主張するけれども、本願発明の構成がＰＩ接合を有し、その結果、空乏層が当然形成されるものであるから、原告の上記主張は採用できない。
〈３〉 したがって、原告主張の取消事由２は理由がない。
３ よって、原告の本訴請求は理由がないから棄却することとし、訴訟費用の負担について行政事件訴訟法７条、民事訴訟法８９条を適用して、主文のとおり判決する。
（裁判長裁判官 伊藤博 裁判官 濵崎浩一 裁判官 市川正巳）
〈省略〉